列アドレスストローブ(CAS)レイテンシーとは何ですか?

Last Updated: 2021-10-22
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Summary:私たちの多くはCASレイテンシーに精通しています。したがって、CAS(列アドレスストローブ)レイテンシーについて知っておく必要があるすべてを学ぶために、ここを見てください。

CASレイテンシーの定義

CLとも呼ばれる列アドレスストローブ(CAS)レイテンシは、READコマンドおよび使用可能なモーメントデータです。間隔は、非同期DRAMではナノ秒単位で指定されます。対照的に、間隔は同期DRAMのクロックサイクルで指定されます。

レイテンシは絶対時間ではなくクロックティック数に依存するため、SDRAMモジュールがCASイベントに応答する正確な時間は、クロックレートが異なる場合、同じモジュールの使用によって異なる場合があります。

RAMモジュールのCASレイテンシは、RAMがその列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力ピンで使用できるようにするために必要なクロックサイクル数です。

一般に、CASが16のRAMキットでは、このタスクを完了するために16RAMクロックサイクルが必要です。つまり、CASレイテンシが低いほど、必要なRAMは少なくなります。さらに、CASの待ち時間はいくつかの方法で説明できることに注意してください。具体的には、CAS遅延が16のRAMキットは、CAS16またはCL16として記述できます。さらに、2つの異なるRAMキットのデータ転送速度が同じである場合があります。

NSpeedVSLアテンシー

RAMのデータ転送速度は、RAMが1秒間に実行できる巨大な転送の数を示しますが、CASの待ち時間もRAMのパフォーマンスを理解するために重要です。

CASレイテンシは、データの送信に必要な合計サイクル数をRAMに通知しますが、そのRAMの全体的なレイテンシをよりよく理解するには、各サイクルの期間も考慮する必要があります。

DDR4RAMはDDR3RAMよりも高いストレージ密度と電力効率で更新されますが、CASレイテンシーは高くなる傾向があります。 DDR3 RAMのCASレイテンシーは通常9または10ですが、DDR4のCASレイテンシーは少なくとも15です。ただし、クロック速度が速いため、新しい規格の方が全体的なパフォーマンスが向上します。

結論

列アドレスストローブ(CAS)の遅延を理解するのは難しくありません。このページを読んだ後、あなたはそれをよりよく理解するかもしれません。

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